Bộ biến đổi inverter năng lượng mặt trời chuyển đổi dòng điện một chiều từ tấm pin mặt trời thành dòng điện xoay chiều để cung cấp cho lưới điệngiải mộng, là thành phần quan trọng nhất trong hệ thống phát điện mặt trời. Hiệu suất chuyển đổi của bộ biến đổi inverter trực tiếp ảnh hưởng đến hiệu suất tổng thể của toàn bộ hệ thống năng lượng mặt trời. Các linh kiện SiC thuộc loại bán dẫn có dải cấm rộng, sở trường của chúng chính là hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn, tính năng vượt trội này phù hợp rất tốt với yêu cầu cải tiến của bộ biến đổi inverter năng lượng mặt trời. So với các linh kiện dựa trên silicon truyền thống, SiC mang lại hiệu suất chuyển đổi cao hơn, tổn thất năng lượng thấp hơn, nhờ đó có thể thu nhỏ kích thước hệ thống, tăng mật độ công suất, kéo dài tuổi thọ linh kiện và giảm chi phí sản xuất. Hiện nay, hầu hết các hệ thống năng lượng mặt trời thương mại đều sử dụng cấu trúc hai cấp. Cấp đầu tiên (bộ biến đổi DC/DC) có chức năng tăng áp và MPPT, cấp thứ hai (DC/AC) thực hiện biến đổi và kết nối vào lưới điện. Các transistor MOSFET SiC chịu được điện áp cao và diode SiC chịu được dòng điện lớn sẽ phát huy vai trò quan trọng trong quá trình này.

Hệ thống lưu trữ năng lượng giúp nâng cao hiệu quả vận hành của lưới điệngiải mộng, giảm thiểu sự tắc nghẽn cục bộ về điện năng trong thời điểm đỉnh, từ đó giảm tổn thất đường dây. Hệ thống lưu trữ còn giúp giảm nhu cầu xây dựng thêm các nhà máy phát điện để đáp ứng nhu cầu tiêu thụ điện trong giờ cao điểm. Thành phần chính của hệ thống ESS là hệ thống chuyển đổi công suất DC/DC và DC/AC hai chiều, nó kết nối tất cả các nguồn như lưới điện, tấm pin mặt trời, tuabin gió, xe điện và pin lại với nhau, đồng thời thực hiện chuyển đổi công suất giữa chúng. Công nghệ SiC có thể cung cấp các giải pháp hoạt động ở điện áp cao, tần số cao và hiệu suất cao, đây là những yêu cầu thiết yếu đối với mọi hệ thống lưu trữ. Các hệ thống lưu trữ dựa trên linh kiện SiC sẽ đóng vai trò quan trọng hơn trong việc tối ưu hóa phân phối điện, ổn định lưới điện, làm mịn nhu cầu điện, và sử dụng hiệu quả hơn các nguồn năng lượng tái tạo.

Hiện tạiWeb cá độ bóng đá, khả năng sạc nhanh (từ 5-10 phút sạc đầy) sẽ là mảnh cuối cùng để xe điện hoàn toàn thay thế xe chạy xăng, và SiC sẽ đóng vai trò quan trọng trong quá trình này. Ngày càng nhiều hãng xe đang hướng tới nền tảng 800V, điều này sẽ khiến họ phải triển khai các module công suất cao và điện áp lớn trong lĩnh vực trạm sạc. Các linh kiện Si truyền thống và IGBT có điện áp chặn thấp, khi kết hợp với cấu trúc đa cấp sẽ gây ra thách thức về kích thước và hiệu suất. Bộ chuyển đổi ACDC dựa trên SiC có thể giải quyết tốt các vấn đề này, sử dụng ít linh kiện hơn, chiếm diện tích mạch nhỏ hơn, đạt được hiệu suất đỉnh cao hơn. Để triển khai kiến trúc sạc 800V, hiệu suất sạc của trạm sạc cũng cần được nâng cao, công suất sạc DC hiện nay dưới 120kW đang dần được cải thiện lên 350kW hoặc thậm chí 480kW. Điều này có nghĩa là cần mở rộng các module sạc hiện tại 20kW, 30kW lên 40kW hoặc cao hơn. Nhờ các đặc điểm kỹ thuật như chịu nhiệt tốt, tần số chuyển mạch cao của giải pháp SiC, sẽ hỗ trợ tối ưu hóa thiết kế mạch, lựa chọn linh kiện, thiết kế luồng gió và bảo vệ nhiệt độ, từ đó đạt được độ tin cậy cao hơn.